据国度电力投资集团有限公司（以下简称“国度电投”）9月10日音问，近日，国度电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国度原子能机构核本事（功率芯片质子放射）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片居品客户录用。
国度电投示意，这标识着我国已全面掌捏功率半导体高能氢离子注入中枢本事和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的迫切一环，为半导体离子注入开辟和工艺的全面国产化奠定了基础。
据国度电投先容，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的迫切要领，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体居品制造进程中起着关节作用，该限制中枢本事及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，荒谬是600V以上高压功率芯片永恒依赖入口。核力创芯的本事突破，松弛了国际把持。
核力创芯在遭受异邦关节本事及装备闭塞的不利条款下，对峙独力新生，自主立异，打造新质出产力，在不到三年的时辰里，突破多项关节本事壁垒，结束了100%自主本事和100%装备国产化，建成了我国首个核本事期骗和半导体限制交叉学科研发平台。首批录用的芯片居品阅历了累计近万小时的工艺及可靠性测磨真金不怕火证，主要本事缱绻达到国际先进水平，获取用户高度评价。
